路透社看到的一份最近的草案，在美国商会等贸易组织的抗议下，美国参议员缩减了一项旨在对美国政府及其承包商使用中国制造芯片施加新限制的提案。

　　报道称，这是产业界努力削弱那些旨在遏制中国新兴技术领域提案的最新例证，产业界的理由是此类遏制措施会推高成本。

　　相关提案由美国参议院多数党领袖查克·舒默和共和党对华人物约翰·科宁9月时提出电子元件电路新闻动态，旨在让美国联邦机构及其承包商停止使用中国的中芯国际等企业制造的半导体。

　　其最新版本（标注日期为 12 月 1 日）不再禁止承包商“使用”目标芯片，并将合规期限从初版中的立即实施或 2 年内实施延长至 5 年。

　　印度塔塔集团将在几年内开始在该国生产半导体，该集团总公司董事长表示，此举将使印度成为全球芯片供应链的重要组成部分。

　　塔塔集团于 2020 年成立的一家电子元件制造商，他说：“我们创建了 Tata Electronics，我们将在其下建立半导体组装测试业务。”“我们将与多家公司进行讨论，”塔塔集团董事长补充说，提高与现有芯片制造商合作的可能性。

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　　高盛称，明年三星电子和 SK 海力士的资本支出预计将减少 16.6% 至 55 万亿韩元。三星电子预计变化不大，SK 海力士可能将其投资减半至约 10 万亿韩元。韩国银行最近表示，韩国 IT 和非 IT 公司的 2023 年将分别下降 13.2% 和 0.5%。

　　第一个原因是存货过多。截至 9 月末，三星电子、SK海力士、现代汽车、LG化学等前 30 名非金融企业的存货资产总计 181.62 万亿韩元。该金额在九个月内跃升了 52.7%，创历史新高。10 月制造业平均产能利用率为 72.4%，环比下降 2.7 个百分点，为 2020 年 8 月以来最低。

　　第二个原因是韩国企业出口疲软。据韩国国际贸易协会称，预计明年韩国的总出口和半导体出口将分别下降 4% 和 15%开云全站游戏。

　　海关总署数据，2022 年1月-11月，我国进口机电产品 6.36 万亿元，下降4.7%。其中，集成电路 4985.1 亿个，减少 14.4%，价值 2.52 万亿元，增长0.6%；汽车（包括底盘）81.4 万辆，减少 7.4%，价值 3277.7 亿元，增长1.7%。

　　深圳华强 12 月 8 日晚间公告，中国电子信息产业集团有限公司、深圳市投资控股有限公司作为主发起人拟发起设立电子元器件和集成电路国际交易中心股份有限公司，作为电子元器件和集成电路国际交易中心的建设主体。公司拟作为共同发起人，以 7600 万元参与投资设立电子元器件国际交易中心公司；投资完成后，公司将持有电子元器件国际交易中心公司 3.5714% 的股权。

　　电子元器件和集成电路国际交易中心股份有限公司创立大会于 12 月 8 日上午在深圳召开。据了解，该交易中心位于深圳前海，注册资本为 21.28 亿元。

　　OpenCV 开源社区正式合入了对龙架构（LoongArch™）支持的代码，基于龙架构自主指令系统，优化后的OpenCV性能显著提升。

　　OpenCV 是一款跨平台的计算机视觉和机器学习软件平台，在计算机视觉领域广泛使用，是目前人工智能应用中的重要基础平台。针对当前主要的 CPU 架构，OpenCV 均有支持，包括 X86、ARM 等。随着此次代码合入，OpenCV 对龙架构正式完成支持开云全站游戏。

　　第三代半导体氮化镓外延企业晶湛半导体完成数亿元 C 轮融资，本轮增资由蔚来资本、美团龙珠领投，华兴资本旗下华兴新经济基金、欣柯资本等跟投，老股东歌尔微电子、三七互娱等继续加码。这是继晶湛半导体今年 3 月完成 B+ 轮数亿元战略融资以来的又一轮融资。

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　　OPPO 宣布第二颗自研芯片将于 12 月 14 日在未来科技大会 2022（OPPO INNO DAY 2022）上正式发布。“芯突破”预示 OPPO 自研芯片将在关键技术上实现全新突破。

　　OPPO 首颗自研芯片马里亚纳 MariSilicon X于 2021 年未来科技大会上发布。作为首个影像专用 NPU，马里亚纳 MariSilicon X通过 6nm 先进制程、18 TOPS的旗舰算力，以芯片级技术突破带来了全新的计算影像动力。

　　OPPO 创始人兼首席执行官陈明永表示，“芯片这件事，是我们抱定宗旨，一定要做的，也是一定要做好的。我们从未寄希望能有奇迹，正因为好的芯片很难做，我们更需要循序渐进、扎扎实实地向前走开云全站游戏。”

　　三星（中国）半导体有限公司副总裁徐正贤 7 日在接受记者采访时表示，三星半导体西安工厂 2022 年产值将突破 1000 亿元人民币，他们对中国市场有信心，将持续在中国投资。

　　三星（中国）半导体有限公司 2012  年落户西安高新区，是中国改革开放以来引进的单笔投资额最大的外商投资项目之一。截至目前，项目总投资高达 270 亿美元。

　　当前 MOSFET 器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破 MOSFET 亚阈值摆幅（SS）为 60mV/dec 的室温极限，是实现高速度开云全站、低功耗 CMOS 技术和集成电路的重要途径。近年来，包括隧穿晶体管（TFET）、负电容晶体管（NCFET）、冷源晶体管（CSFET）等在内的多种器件技术为实现陡峭亚阈值摆幅和低功耗器件性能提供了思路。

　　复旦大学微电子学院朱颢研究团队针对上述晶体管器件技术的关键需求，与美国国家标准与技术研究院  (NIST) 及美国乔治梅森大学合作，提出了一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件。研究成果以《Steep-Slope Negative Quantum Capacitance Field-Effect Transistor》为题在近日召开的第68届国际电子器件大会（IEDM，International Electron Devices Meeting）上发表，微电子学院朱颢以及美国 NIST 的 Qiliang Li 为通讯作者，课题组杨雅芬博士为第一作者，复旦大学微电子学院为第一单位。