：韩根全（西安电子科技大学 微电子学院 教授；西安电子科技大学杭州研究院 教授）

　　src=【电子信息争鸣讲坛】是由《电子与信息学报》、中国科学院空天信息创新研究院、中国计算机学会容错计算专业委员会开云全站平台、中国电子学会电路与系统分会、中国图象图形学学会遥感图像专业委员会共同主办的学术公益讲坛。

　　旨在展现国内外电子与信息等相关领域技术前沿的研究与应用成果电子元件电路新闻动态，促进专业学术交流和人才成长，推动电子信息科学研究及行业发展。

　　氧化铪基铁电材料具有微缩性好、CMOS 工艺兼容等优势开云全站，有望实现下一代高密度、低功耗非易失性存储器，为高算力、高能效芯片的实现提供重要支撑。报告从氧化铪基铁电材料出发，介绍了该材料中氧空位对铁电性及唤醒 - 疲劳 - 恢复效应的影响机制。根据该机制我们提出了具有更高耐久特性的超晶格铁电材料以及能够实现无限耐久特性的铁电存储器读写操作方法。此外，报告还介绍了基于可移动离子的新型非晶态类铁电材料与相应工作机理。通过对铁电材料极化状态的调控，实现了可重构晶体管器件。最终，基于铁电材料与相应晶体管技术，我们成功开发出了 kbit 规模铁电存储器（FeRAM）与铁电场效应晶体管（FeFET）芯片原型。

　　韩根全，博士，西安电子科技大学二级教授。本科毕业于清华大学，2008 年在中国科学院半导体研究所获得博士学位。2008 年毕业后加入新加坡国立大学从事高端微电子器件研究工作，在先进 CMOS 器件研究方面取得了国际领先的原创性成果。2013 年回国后主要从事超宽禁带氧化镓异质集成材料和功率器件、后摩尔新型微纳米器件和芯片研究。担任 IEEE Electron Device Letters 和 National Science Open ( NSO ) 编辑开云全站平台、新加坡科技研究局 A*STAR 项目评审人。

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