金融界2023年12月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“制造集成电路器件的方法“，授权公告号CN111785688B，申请日期为2017年6月。

　　专利摘要显示，本公开提供了制造集成电路器件的方法开云全站。一种制造集成电路器件的方法包括：在基板的第一区域中形成第一鳍型有源区以及在所述基板的第二区域中形成第二鳍型有源区；在所述基板上形成间隔物层开云kaiyun全站app手机下载电子元件电路新闻动态，所述间隔物层覆盖所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区；以及蚀刻所述间隔物层、所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区以同时形成所述第一鳍型有源区上的第一凹陷kaiyun全站人口、所述第二鳍型有源区上的第二凹陷以及第一鳍绝缘间隔物电子元件电路新闻动态kaiyun全站人口，所述第一鳍绝缘间隔物是所述间隔物层的第一剩余部分，该第一剩余部分覆盖所述第一凹陷下面的所述第一鳍型有源区的侧壁。