开云全站平台开云全站平台国际电子器件大会（IEDM）始于 1955 年，是集成电路器件领域的顶级会议，在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力，被誉为 器件的奥林匹克盛会 电子元件电路新闻动态。

　　src=IEDM 影响力巨大，是全球报道半导体及电子器件领域最新的科技电子元件电路新闻动态、设计、制造、物理及建模的主要论坛，也是高校开云全站、研发机构和行业领军企业报告其技术突破的重要平台。每年 Intel、Samsung、TSMC 和 IBM 等国际知名半导体公司都会利用这个会议发布其最新研究成果。

　　src=src=src=基于江苏能华和东南大学长期的技术合作，共同开发了超薄缓冲层 ( UTB ) 外延技术，全球首次报道 1200V GaN 高低压兼容制备工艺，基于该技术研制的 1200V GaN 半桥集成芯片实现了 800V/1MHz/175 ℃条件下无串扰工作。

　　src=该成果体现了 GaN 器件在 1200V 应用领域的优势开云全站，将领衔推动 GaN 器件在 1200V 应用领域的广泛应用。

　　江苏能华微电子科技发展有限公司创办于 2010 年，是一家专业设计、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件的高新技术企业。

　　src=公司核心技术团队由国家级领军人才朱廷刚博士带领，成员包括从外延生长、器件设计、工艺制程到封装测试各环节的专家。目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。公司产品技术参数在行业中处于领先地位，各类产品已实现规模化生产，并拥有一批国内外知名客户。