台积电取得半导体器件及其形成方法专利，半导体器件包括有源区和多种金属到漏极/源极接触结构

　　金融界2024年4月15日消息，据国家知识产权局公告开云全站游戏，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“，授权公告号CN113809077B，申请日期为2021年8月。

　　专利摘要显示，公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：有源区；第一、第二和第三金属到漏极/源极(MD)接触结构，在第一方向上延伸并对应地与有源区重叠；通孔到通孔轨，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并与第一开云全站游戏、第二和第三MD接触结构重叠；第一导电部开云全站游戏，与通孔到通孔轨重叠，处于第一金属化层中，并相对于第二方向与第一电子元件电路新闻动态、第二和第三MD接触结构中的每个重叠；以及第一通孔到MD(VD)结构开云全站，在第一MD接触结构与第一导电部之间，第一VD结构将第一导电部、通孔到通孔轨与第一MD接触结构电耦合电子元件电路新闻动态，其中，第二或第三MD接触结构中的至少一个与通孔到通孔轨电去耦。

　　kaiyun全站人口