由图1-2看出，该器件e-b间具有负阻特性，利用该负阻特性和RC电路的充放电特性可组成非正弦振荡电路，产生频率可变的脉冲。因此，单结晶体管通常被用来组成晶闸管可控整流电路的同步触发电路。此外，也可用于双稳态电路（电压偏置电路）及时间电路。

　　半导体三极管又称晶体三极管，通常简称晶体管或双极型晶体管，它是一种电流控制电流的半导体器件，可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小，耗电省等一系列独特优点。

　　5工作于开关状态的三极管，因UEBO一般较低，所以应考虑是否要在基极回路加保护线路，以防止发射结击穿；若集电极负载为感性（如继电器的工作线圈），则必须加保护线路（如线圈两端并联续流二极管），以防线圈反电势损坏三极管。

　　6管子应避免靠近发热元件，减少温度变化和保证管壳散热良好。功率放大管在耗散功率较大时，应加散热板（磨光的紫铜板或铝板）。管壳与散热板应紧密贴牢。散热装置应垂直安装，以利于空气自动对流。

　　常用和较新的电子器件，包括分立器件的晶体二极管和三极管、场效应管、光电器件、LED LCD、固体继电器、霍尔元件以及TTL和CMOS集成电路、运算放大器、集成稳压电路、大规模集成电路、A/D及D/A较换器，接口电路、存储器（RAM EPROM EIPOM）、可编程陈列逻辑器件PAL及GAL，家用电器器件（单片收音机、收录机、黑白及彩色电视机、录象机）、阻容元件及片状元件等。

　　4稳压管的替换。必须使替换上去的稳压管的稳压电压额定值VI与原稳压管的值相同，而最大工作电流Imax则要相等或更大。

　　硅双基极管又称单结晶体管电子元件电路新闻动态，是一种特殊的半导体器件，其外形和普通三极管相似，同样有三个电极，但在结构上只有一个PN结，其电路符号和等效电路见图（1-1）：

　　图1-2是单结晶体管的发射极特性曲线应避免靠近发热元件，并保证散热良好，工作在高频或脉冲电路的二极管引线，要尽量短，不能用长引线或把引线弯成圈来达到散热的目的。

　　5二极管的替换。硅管与锗管不能互相代用。替换上去的二极管其最高反向工作电压及最大整流电流不应小于被替换管。根据工作特点，还应考虑其他特性，如截止频率，结电容，开关速度等。

　　⒉稳压管：稳压二极管除了广泛应用在电源装置中外，还常在电路中作稳压限幅，过载保护和开关元Hale Waihona Puke Baidu等开云全站平台。

　　3选用三极管主要应注意极性和下述参数：PCM、ICM、βUCEO、βUEBO、ICBO、β、fT、和fB开云全站平台。因有βUCBO＞βUCES＞βUCER＞βUCEO，因此，只要βUCEO满足要求就可以了。一般高频工作时要求fT=（5~10）f电子元件电路新闻动态，f为工作频率。开关电路工作时则应考虑三极管的开关参数。

　　4三极管的代换。只要管子的基本参数相同，就能代换，性能高的可代换性能低的。低频小功率管，任何型号的高、低频小功率管都可代换它，但fT不能太高。只要fT符合要求，一般就可代替高频小功率管，但应选内反馈小的管子，hFE＞20即可。对低频大功率管，一般只要PCM、ICM、βUCEO符合要求即可。但应考虑hFE、UCES的影响。对电路中有特殊要求的参数（如NF、开关参数）应满足。此外，通常锗、硅不能互换。

　　⒈场效应管是一种电压控制电流的器件，其特点是输入电阻极高，噪声系数低，受温度和辐射影响小，因而特别适用于高灵敏、低噪声电路。

　　中华人民共和国国家标准——半导体器件型号命名方法（GB249-74）。本标准运用于无线电子设备所用半导体器件的型号命名

　　※注：场效应器件，半导体特殊器件，复合管，PIN型管，激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。

　　2应根据需要正确地选择型号。同一型号的整流二极管方可串联、并联使用。在串联或并联使用时，应视实际情况决定是否需要加入均衡（串联均压、并联均流）装置（或电阻）。

　　3引出线的焊接或弯曲处，离管壳距离不得小于10mm开云全站平台。为防止因焊接时过热而损坏，要使用小于60W的电烙铁，焊接时间不应超过2s~3s，并在管壳与焊接点之间保证有良好的散热。

　　锗三极管的增益大，频率特性好，尤其适用于低电压的线路。硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。

　　1加到管上的电压极性应正确。PNP管的发射极对其他两电极是正电位，而NPN管则应是负电位。

　　2不论是静态、动态或不稳态（如电路开启开云全站、关闭时），均必须防止电流、电压超出最大极限值，也不得有两项或两项以上参数同时达到极限值。

　　动态电阻RZ是稳压二极管的一个重要参数，其值随工作电流的不同而异，一般是工作电流越大，动态电阻值越小。

　　2工作过程中，在所有的温度范围内，所用稳压管的电流与功率不允许超过极限值。开云全站开云全站