大厂纷纷入局氮化镓功率器件市场。日本东芝旗下的东芝器件与存储公司发布首款氮化镓功率器件；美国半导体器件公司Odyssey 发布的垂直结构氮化镓器件最高工作电压可达1200V，且具有更高的品质因数和工作频率电子元件电路新闻动态。ROHM 公司发布栅极驱动器和氮化镓HEMT 一体化封装产品，可以替代现有的Si MOSFET，从而使器件体积减少99%，功率损耗降低55%。

　　氮化镓：第三代半导体代表。随着5G 技术、汽车、无线通信、航天航空等技术的高速发展，电气化程度的提高对耐高温、耐高压、开云全站游戏高频及大功率的性能有着迫切需求。

　　氮化镓作为第三代宽禁带半导体的代表之一，拥有宽禁带、开云全站游戏高击穿场强、高热导率和高电子漂移速率等优点电子元件电路新闻动态，制备出的氮化镓器件导通电阻小、电子迁移率高、热导性好，而且在散热开云全站kaiyun全站人口、能耗、体积等方面也有着很大的优势，可以极大地提升新兴电力电子器件的性能，还能达到节省能源的效果。

　　氮化镓功率器件正在快速取得技术突破。为获得性能更优的氮化镓器件以抢占市场份额，各大厂商正在在垂直型结构和提高集成度等方向上寻求技术突破。随着氮化硅功率器件的性能及性价比的进一步提升，未来在高、中、低电压场景下都将有很大的发展潜力，看好其在汽车电气系统、大规模集成电路、无线通讯等领域的发展。